Endyòm poud CAS 7440-74-6

Poud endyòmse yon eleman metalik ak senbòl la nan ak yon nimewo atomik nan 49, ki sitiye nan gwoup IIIA nan peryòd la senkyèm nan tablo a peryodik. CAS 7440-74-6, fòmil molekilè a se nan, ki se yon metal blan an ajan ak yon koulè limyè ble. Li gen yon teksti mou epi yo ka grate pa klou. Bonjan plastisit, bon duktilite, epi yo ka konprese nan fèy papye. Se metal endyòm sitou itilize kòm yon materyèl anvan tout koreksyon pou fabrikasyon ki ba alyaj pwen k ap fonn, pote alyaj, semi-conducteurs, sous limyè elektrik, elatriye. Indium se ki pa toksik, men yo ta dwe evite nan kontak ak po ak enjèstyon. Akòz pèmeyabilite fò li yo ak konduktiviti, li se sitou itilize nan pwodiksyon an nan objektif ITO (pou pwodiksyon an nan ekspozisyon kristal likid ak ekran plat), ki se zòn nan konsomatè prensipal la lengote endyòm, kontablite pou 70% nan konsomasyon mondyal endyòm.

Poud endyòm, kòm yon metal ki ra, te vin yon resous endispansab estratejik nan teknoloji modèn ak endistri akòz inik pwopriyete fizik ak chimik li yo. Soti nan ekran smartphone nan baton kontwòl reaktè nikleyè, ki soti nan selil fotovoltaik nan pwopòsyonèl informatique, te aplikasyon an nan endyòm Penetration nan tout aspè nan lavi moun.

Ekspozisyon elektwonik ak teknoloji optoelectronic: fondasyon konduktiviti transparan

 

1.1 ITO sib materyèl ak transparan fim kondiktè
Pi gwo zòn nan konsomatè nan endyòm (kontablite pou 70% nan mond lan) se pwodiksyon an nan oksid endyòm oksid (ITO) objektif, ki yo te itilize fabrike elektwòd kondiktè transparan pou ekspozisyon kristal likid (LCDs), manyen ekran, ekran OLED, ak panno solè. Se fim ITO depoze sou vè oswa Polyester substrats nan pwosesis vakyòm sputtering, ak yon transmisyon nan plis pase 90% ak yon rezistans sifas ki ba tankou 10-100 ω/□, parfe balanse konduktiviti ak transparans.

Ka aplikasyon tipik:

Smartphones ak televizyon: Plis pase 90% nan ekran smartphone mondyal sèvi ak fim ITO. Epesè nan kouch ITO nan 65 pous sèten nan televizyon OLED se sèlman 200 nanomètr, men li pote 95% nan transmisyon siyal manyen.

 

Bati enèji ekonomize vè: ki ba-E vè kouvwi ak ITO ka diminye bilding konsomasyon enèji pa 30%. Se teknoloji sa a aplike nan vè a miray eksteryè nan bilding sant Shanghai, diminye emisyon gaz kabonik pa plis pase 2000 tòn chak ane.

Aviyasyon vit machin: glas devan machin lan nan avyon an Boeing 787 entegre ak ITO fim chofaj, ki ka de glas nan 10 minit nan yon anviwònman nan -50 degre, ogmante efikasite pa 5 fwa konpare ak solisyon fil rezistans tradisyonèl yo.

1.2 Nouvo teknoloji ekspozisyon
Endyòm montre potansyèl nan jaden émergentes tankou mikwo ki ap dirije ak pwopòsyon ekspozisyon dot. Endyòm fosfid (INP) pwen pwopòsyonèl ka reyalize 100% NTSC koulè gam pwoteksyon. 8K pwopòsyon DOT televizyon an te lanse pa yon manifakti sèten gen yon INP pwopòsyon dot kouch epesè nan sèlman 5 mikron, ki ogmante pite koulè pa 40% konpare ak solisyon tradisyonèl yo.

Semiconductors ak sikwi entegre: chofè nan frekans segondè ak gwo vitès

 

2.1 Materyèl semi -conducteurs konpoze
Endyòm se eleman debaz la nan semi -conducteurs konpoze tankou fosfid endyòm (INP), endyòm asenid (INAs), ak nitride galyòm endyòm (Ingan), epi li se lajman ki itilize nan jaden tankou kominikasyon 5G, fib optik, ak rada lazè.

Ka zouti teknolojik:

5G baz estasyon anplifikatè pouvwa: ki baze sou INP segondè elèktron mobilite tranzistò (HEMT), frekans lan opere ka rive jwenn 300GHz, ak dansite pouvwa a se twa fwa pi wo pase aparèy GAAS. Apre yon estasyon baz Macro Macro 5G ekipman kominikasyon an adopte INP PA, se reyon an pwoteksyon elaji pa 20%.
Otonòm kondwi lidar: Ingan ki baze sou lazè limyè ble (450Nm) konbine avèk INP photodetector reyalize deteksyon nan yon distans de 200 mèt. Modil la lidar nan Tesla Modèl Y adopte solisyon sa a, ki ogmante pwen nwaj dansite pa 50%.

 

2.2 Chip Faktori ak Doping Teknoloji
Endyòm, kòm yon dopant p-tip, ka siyifikativman amelyore pèfòmans nan tranzistò germanium. Antimonid endyòm lan (INSB) pwopòsyonèl byen devlope pa yon laboratwa sèten gen yon mobilite elèktron nan 300000 cm ²/(V · s) nan yon tanperati ki ba nan 3K, ki se 100 fwa pi vit pase Silisyòm ki baze sou aparèy ak bay materyèl potansyèl pou bato quantum informatique.

Teknoloji enèji: abilite transfòmasyon vèt la

 

3.1 selil fotovoltaik
Copper endyòm galyòm selenide (CIGS) mens fim selil solè yo se yon aplikasyon bòn tè nan endyòm nan jaden an enèji. Efikasite konvèsyon foto -elektrik li yo rive nan 23.35% (dapre done laboratwa ZSW nan Almay), epi li gen ekselan pèfòmans limyè fèb, génération 15% plis elektrisite pase selil cristalline Silisyòm nan move tan lapli.

Pwogrè endistriyalizasyon:

Bati fotovoltaik entegre (BIPV): Yon pwodwi CIGS miray rido te lanse pa yon antrepriz sèten ak yon dansite pouvwa nan 180W/m ² te aplike nan pwojè a gwo kay won solè Emira Arab Ini, génération plis pase 5 milyon kWh nan elektrisite chak ane.

 

Aparèy fleksib fotovoltaik: yon selil CIG fleksib lè l sèvi avèk oksid zenk endyòm (IZO) elektwòd transparan, ak yon reyon koube ki rive jiska 2mm. Yon konpayi entegre li nan zèl la nan yon abèy, pwolonje tan an andirans pa 30%.

3.2 endistri nikleyè
Alloy endyòm jwe yon wòl enpòtan anpil nan réacteurs nikleyè:

Kontwòl Rod Materyèl: Endyòm-115 izotòp gen yon tèmik neutron absòpsyon koup transvèsal nan 199 ba. Yon katriyèm jenerasyon sodyòm refwadi reaktè vit itilize nan Ag alyaj kontwòl baton, ki amelyore netwon règleman règleman presizyon pa 20%.
Detektè netwon: Yon detektè semi-conducteurs ki baze sou INP ak yon rezolisyon enèji nan 0.3% (@ 662KEV), ki se 10 fwa pi wo pase tradisyonèl detektè HE-3. Li te itilize pou siveyans flux netwon nan ITER entènasyonal reaktè eksperimantal Thermonuclear la.

Alyaj espesyal ak materyèl fonksyonèl: pèfòmans amelyore 'vitamin'

 

4.1 ba alyaj pwen k ap fonn
Alloy ki te fòme pa endyòm, bismit, fèblan ak lòt metal (pwen k ap fonn 47-122 degre) se lajman ki itilize nan:

Ponpye sistèm awozwa: Nan Bi Sn alyaj ajutaj yo itilize nan yon sant done ka avèk presizyon fonn nan 68 degre, ak yon tan repons 3 segonn pi vit pase ajutaj boul tradisyonèl vè, diminye pèt dife pa 40%.
3D enprime materyèl sakrifis: Yon konpayi aviyasyon te devlope yon endyòm ki gen alyaj sakrifis pou manifakti a nan turbine lam fim refwadisman twou, ak yon presizyon enprime nan 0.05mm, ki se 5 fwa pi efikas pase machining egzeyat tradisyonèl yo.

 

4.2 Mete kouch rezistan ak anti-korozyon
Penti ki baze sou endyòm fè ekselan nan anviwònman ekstrèm:

BEARINGS Aerospace: BEARINGS prensipal yo nan yon modèl sèten nan motè yo kouvwi ak nikèl endyòm, ki diminye pousantaj la mete a 0.1 μ m/h nan yon tanperati ki wo nan 500 degre, ak prolongation lavi sa a ki sèvis nan BEARINGS pa 8 fwa.
Ekipman maren: se sifas la nan elis bato kouvwi ak nan Zn alyaj, ki gen yon rezistans korozyon ki rive jiska 1000 èdtan nan yon 3.5% NaCl anviwònman espre sèl, twa fwa pi wo pase kouch CHROMIUM.

Rechèch medikal ak syantifik: Zouti pou dyagnostik egzak

 

5.1 Radyoisotop
Endyòm-111 (mwatye lavi 2.8 jou) se yon nwayo nwayo nan D 'medikal:

Dyagnostik timè: piki octreotide ki make ak nan-111 ka espesyalman mare nan reseptè timè neuroendocrine. Yon etid klinik te montre ke sansiblite li yo te rive 92%, ki se 25% pi wo pase egzamen CT.
Siveyans enflamasyon: IN-111 ki make analysis blan selil san ka jwenn kache enfeksyon fwaye, ak yon pousantaj presizyon nan 95% nan dyagnostik la nan enfeksyon atifisyèl jwenti.

5.2 Biosensors
Endyòm fosfid (INP) ki baze sou detèktè yo ap émergentes nan jaden medikal la:

Siveyans glikoz ki pa anvayi nan san: Capteur kaptilitans inp kaptilitans batman kè a devlope pa yon konpayi sèten reyalize kontinyèl siveyans glikoz nan san pa analize chanjman ki fèt nan espèk po, ak yon seri erè nan<10%. It has been recognized as a breakthrough device by the FDA.
Sekans ADN:Poud endyòmTransistors nanowire jaden-efè ka detekte chanjman ki fèt nan aktyèl lè yon molekil ADN sèl pase nan. Yon ekip te itilize teknoloji sa a pou ogmante vitès sekans a 1000 baz pou chak dezyèm, ki se 10 fwa pi vit pase platfòm la Illumina.

Pwosesis ekstraksyon endyòm lan se sitou metòd elèktroliz ekstraksyon, ki se tou teknoloji pwosesis endikap nan pwodiksyon endyòm nan mond lan jodi a. Flow nan Pwosesis Prensip la se: Endyòm ki gen matyè premyè → anrichisman → Chimik yap divòse → pou pirifye → Ekstraksyon → Retounen fè ekstraksyon → Zenk (aliminyòm) ranplasman → eponj endyòm → elektwolitik rafine → rafine endyòm.

90% nan pwodiksyon endyòm nan mond lan soti nan pa pwodwi nan plon ak fondri zenk. Metòd la rekiperasyon fondri nan endyòm se sitou refè endyòm soti nan kòb kwiv mete, plon ak zenk smelting dross, salop ak labou anod pa anrichisman. Dapre sous la nan refè matyè premyè ak diferans lan nan kontni endyòm, pwosesis ekstraksyon diferan yo aplike nan reyalize konfigirasyon ki pi bon ak revni maksimòm. Teknoloji pwosesis komen yo enkli oksidasyon slagging, ranplasman metal, anrichisman elektwolitik, ekstraksyon lesivaj asid, elèktroliz ekstraksyon, echanj ion, raffinage elektwolitik, elatriye. Aplikasyon an nan metòd echanj ion nan rekiperasyon nan endyòm pa te rapòte nan endistriyalizasyon. Nan pwosesis la nan separe endyòm soti nan fèblan ak kwiv ki difisil volatilize, se pi endyòm konsantre nan fwit chemine ak kras. Nan separasyon an nan zenk temèt ak Kadmyòm, endyòm anrichi nan salop gwo founo dife ak filtre salop.

Nan ISP plon ak zenk pwosesis fondri, pi fò nan endyòm nan nan konsantre a konsantre nan plon an bit ki te pwodwi nan pwosesis la bit brut zenk. Pou refè endyòm rich la nan endyòm ak plon, pwosesis la nan èkstraksyon endyòm pa alkali bouyi te toujou adopte, ki gen dezavantaj yo nan kapasite pwodiksyon ti, pri pwodiksyon segondè, ak ba pousantaj rekiperasyon metal.

Yo nan lòd yo senplifye pwosesis la fè ekstraksyon nan endyòm, diminye pri a pwodiksyon, ak amelyore to rekiperasyon an metal, nan gade nan pwosesis pwodiksyon orijinal la nan èkstraksyon endyòm, pwojè a te etidye ak devlope pwosesis la fè ekstraksyon nan "rich endyòm plon elèktroliz plon elektwolit ekstraksyon paramèl la nan tès la, epi yo te detèmine tès la pi bon pou fè tès la, epi yo te detèmine tès la pi bon pou fè tès la. Koule nan pwosesis se jan sa a: se plon an bit fonn ak jete nan yon plak electrodes, ki chaje nan yon selil elektwolitik pou elèktroliz, ak endyòm nan nan anodik la fonn nan elektwolit la. Lè se endyòm nan anrichi nan yon konsantrasyon sèten, se elektwolit la trase soti pou fè ekstraksyon ak nidite. Se solisyon an rich stripping endyòm jwenn apre ajisteman pH, ranplasman, ak k ap fonn plon.

Plizyè nouvo teknoloji pou separe ak èkstraksyonPoud endyòm: Materyèl yo separasyon prensipal yo itilize nan nouvo teknoloji sa yo gen ladan manbràn likid, chelasyon résine, enpreye résine ak microcapsule. Anba kondisyon apwopriye, endyòm ka efektivman separe ak refè lè l sèvi avèk teknoloji sa yo. Nouvo teknoloji sa yo bay yon nouvo chwa pou separasyon ak rekiperasyon endyòm lan.

Ajoute poud metal endyòm nan diborid la mayezyòm superconductor anpil amelyore superconducting dansite aktyèl la aktyèl nan diborid mayezyòm, ki se yon lòt etap nan direksyon pou pratik. Lè dansite aktyèl la pase nan superconductor a depase yon sèten valè, superconductor a ap pèdi superconductivity li yo, ki se superconducting dansite aktyèl la kounye a. Li se yon endèks enpòtan ki mezire pèfòmans nan superconductors. Se poud metal endyòm ajoute nan diboride mayezyòm ak trete nan fil apre tretman chalè nan 2000 degre. Superconducting li yo kritik dansite aktyèl la se 4 fwa pi wo pase sa ki san yo pa endyòm, rive 100000 anpèr pou chak santimèt kare. Sa a se paske metal endyòm anvayi ant grenn yo nan diborid mayezyòm, konsa amelyore Adhesion li yo.

Endyòm gen kèk pwopriyete chimik ki sanble ak zenk ak fè, pandan ke lòt pwopriyete chimik yo sanble ak fèblan ak aliminyòm. Endyòm gen twa eta oksidasyon: 1, 2, ak 3. Trivalent se pi komen an, pandan y ap trivalent se ki estab nan solisyon akeuz. Konpoze monovalan anjeneral sibi dezagreman lè chofe. Endyòm se youn nan pi mou metal solid ki se byen ki estab nan lè. Nan tanperati nòmal, metal endyòm pa soksid pa lè, men li boule anba chalè fò ak pwodui endyòm (III) oksid ak yon flanm dife ble mat. Sifas la nan metal endyòm se fasil pirifye, ak yon fwa ekspoze a atmosfè a, yon fim mens ki sanble ak sifas la nan aliminyòm parèt. Fim nan mens se difisil, men fasil soluble nan asid idroklorik. Lè tanperati a leve yon ti kras pi wo a pwen k ap fonn li yo, sifas la metal rete klere; Fòm oksid sou sifas la nan tanperati ki wo.

Ant tanperati chanm ak pwen k ap fonn, endyòm reyaji tou dousman ak oksijèn nan lè a, fòme yon fim trè mens oksid (IN2O3) sou sifas li yo. Nan pi wo tanperati, li reyaji ak materyèl aktif ki pa metalik. Gwo moso nan metal endyòm pa reyaji ak dlo bouyi ak solisyon asid, men endyòm an poud ka tou dousman reyaji ak dlo yo pwodwi idroksid endyòm. Endyòm reyaji tou dousman ak asid frèt delye ak se fasil idrosolubl nan konsantre asid inòganik cho, osi byen ke asid acetic ak asid oksalik. Endyòm ka fòme alyaj ak anpil metal (sitou fè, ki se siyifikativman soksid). Eta yo oksidasyon prensipal nan endyòm yo +1 ak +3, ak konpoze prensipal yo se nan2O3, nan (OH) 3, ak incl3. Lè yo konbine avèk halogen yo, yo ka fòme monohalides ak trihalides, respektivman. [3] Lè chofe, endyòm ka reyaji ak halogen, souf, fosfò, osi byen ke asenik, Antimwàn, Selenyòm, ak telur. Li reyaji ak idwojèn ak nitwojèn yo pwodwi idrid ak nitrid, respektivman. Endyòm ka fòme amalgam mèki ak mèki, ak endyòm fòm alyaj ak pi metal akonpaye pa efè redi enpòtan. Endyòm ka fòme lyezon kovalan nan konpoze li yo, ki ka afekte konpòtman elèktrochimik li yo. Gen kèk solisyon sèl endyòm ki gen konduktiviti ki ba, ki endike pwopriyete ki pa iyonik yo. Reyaksyon electrodes endyòm lan egzije yon enèji mwayen aktivasyon segondè, epi itilizasyon yon reyaksyon elektwod elektwolit ki obligatwa pou elektwolit ka elektwolit.Poud endyòmse fasil pou elèktroplat endyòm lè l sèvi avèk cyanide, silfat, fluoroborate, ak aminosulfonate sèl.

Baj popilè: Endyòm poud CAS 7440-74-6, founisè, manifaktirè, faktori, en, achte, pri, esansyèl, pou vann